贺泽，男，汉族，出生于1995年9月，中共党员。2021年毕业于中国科学院大学，获得理学博士学位。博士期间的研究方向为纳米级数字电路的辐照效应研究。以第一作者发表SCI收录论文两篇，包括 《Heavy Ion and Proton Induced Single Event Upsets in 3D SRAM》和《Verification of SEU Resistance in 65 nm High-Performance SRAM with Dual DICE Interleaving and EDAC Mitigation Strategies》；以共同第一作者发表SCI收录论文一篇，《Characterization of Heavy Ion Induced SET Features in 22 nm FD-SOI Testing Circuits》；以第一作者发表北大核心收录论文一篇,《22 nm FD-SOI静态随机存储器的可靠性研究》。

2021年10月进入集宁师范学院物理与电子信息工程学院工作，主要讲授《原子物理学》和《固体物理学》专业课程。